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单层硒化硅应变性能的第一性原理研究
作者: 贲娇   来源: 湘潭大学 年份: 2018 文献类型 : 学位论文 关键词: 平面应变   第一性原理   单层SiSe   电子性质  
描述: 单层硒化硅应变性能的第一性原理研究
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