单层硒化硅应变性能的第一性原理研究
日期：2018.12.30 点击数：3
【类型】学位论文
【作者】贲娇
【关键词】 平面应变,第一性原理,单层SiSe,电子性质
【摘要】单层硒化硅应变性能的第一性原理研究
【学位名称】硕士
【学位授予单位】湘潭大学
【学位授予年度】2018
【导师姓名】毛宇亮
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