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单层硒化硅应变性能的第一性原理研究: 作者： 贲娇 来源： 湘潭大学 年份： 2018 文献类型： 学位论文 关键词： 平面应变第一性原理单层SiSe 电子性质; 描述： 单层硒化硅应变性能的第一性原理研究

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